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簡要描述(shu)：【無錫冠亞】半導(dao)體控溫(wen)解決方案主要(yao)產品包括半導(dao)體專?溫(wen)控設備、射(she)流式?低(di)溫(wen)沖擊測(ce)試(shi)機和半導(dao)體??藝廢?處理裝(zhuang)置等?設備，?泛應?于半導(dao)體、LED、LCD、太(tai)陽能光伏等領域。-80℃射(she)流高低(di)溫(wen)沖擊測(ce)試(shi)機 循環風控溫(wen)裝(zhuang)置
產(chan)品(pin)型號(hao)：LTS-202廠商性質：生產廠家更(geng)新時間：2024-01-11訪(fang) 問 量：288| 品牌 | LNEYA/無錫冠亞 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥,汽車 |
主要產品包括(kuo)半導(dao)體(ti)專?溫(wen)(wen)控設備、射流(liu)式?低溫(wen)(wen)沖擊(ji)測試機和半導(dao)體(ti)??藝(yi)廢(fei)?處(chu)理裝置等?設備，
?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽能光伏(fu)等領域。
半導(dao)體專溫控(kong)設備
射流式?低溫沖擊測試機
半導體專用溫控設(she)備chiller
Chiller氣體降溫(wen)控(kong)溫(wen)系統
Chiller直冷型
循(xun)環風控溫裝置
半(ban)導體?低溫測試設備(bei)
電?設備?溫低溫恒溫測試冷熱源
射流式高低(di)溫沖(chong)擊測(ce)試機
快速(su)溫變控溫卡盤
數據中心液冷解決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
-80℃射流高低溫沖擊測試機 循環風控溫裝置
-80℃射流高低溫沖擊測試機 循環風控溫裝置
射流(liu)式高低溫沖(chong)擊測試(shi)機給芯(xin)片、模塊(kuai)、集成電路板(ban)、電子元(yuan)器件等提供精確且(qie)快速的環境(jing)溫度。
是(shi)對產品(pin)電(dian)性(xing)能測試、失效分析(xi)、可(ke)靠(kao)性(xing)評估的儀器(qi)設(she)備。
溫度控制范(fan)圍：-120℃ 至+300℃，升降溫速率?常快速，150℃?-55℃＜10秒，zui??流量(liang)：30m3/h；
實(shi)(shi)時監控被(bei)測IC真實(shi)(shi)溫(wen)度,實(shi)(shi)現閉環反饋，實(shi)(shi)時調整?體溫(wen)度升降溫(wen)時間可控，程序化操作、?動(dong)操作、遠程控制
冷熱循環沖擊測(ce)試機是用于測(ce)試集成電路在不同溫度下(xia)的性能和(he)穩定性的設備，在選購(gou)冷熱循環沖擊測(ce)試機時，需要考慮(lv)以(yi)下(xia)幾(ji)個方面：
1、測(ce)試溫度(du)范(fan)(fan)圍：根據需(xu)要測(ce)試的(de)(de)集成電路的(de)(de)類(lei)型和規格，確定所(suo)需(xu)的(de)(de)測(ce)試溫度(du)范(fan)(fan)圍。一般來說，冷熱(re)循環沖擊(ji)測(ce)試機的(de)(de)溫度(du)范(fan)(fan)圍應該在-120℃到200℃之(zhi)間，以滿足大多數半導體(ti)的(de)測試(shi)需求(qiu)。
2、溫度(du)(du)穩(wen)定性(xing)：溫度(du)(du)穩(wen)定性(xing)是(shi)測試系統的重要指(zhi)標之(zhi)一(yi)。冷熱循環(huan)沖擊測試機(ji)的溫度(du)(du)穩(wen)定性(xing)應該(gai)足(zu)夠高，以保(bao)證測試結果(guo)的準確(que)性(xing)和可靠性(xing)。一(yi)般來說，溫度(du)(du)波動范圍應該(gai)在±1℃以內(nei)。
3、測試速(su)(su)度：測試速(su)(su)度也(ye)是需要(yao)考慮的因素之(zhi)一。冷(leng)熱循環沖擊測試機(ji)的測試速(su)(su)度應該(gai)足夠快，以減少測試時間(jian)和提升效率。一般來說，冷熱(re)循(xun)環(huan)沖(chong)擊測試機(ji)測試速度應該在(zai)每(mei)小時測試數百個樣品以上。
4、測試(shi)(shi)精度：冷熱循環沖擊測試(shi)(shi)機的(de)(de)測試(shi)(shi)精度應該(gai)足夠(gou)高(gao)，以保證(zheng)測試(shi)(shi)結果的(de)(de)準確(que)性和(he)可靠性。一(yi)般(ban)來說，測試(shi)(shi)誤差應該(gai)在±1℃以內。
