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簡要描述：【無錫冠亞】半導(dao)(dao)(dao)體控(kong)溫(wen)解決(jue)方案主要(yao)產品包括半導(dao)(dao)(dao)體專?溫(wen)控(kong)設備、射流式(shi)?低(di)溫(wen)沖擊測試(shi)機(ji)和半導(dao)(dao)(dao)體??藝廢?處理裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)等(deng)?設備，?泛應?于半導(dao)(dao)(dao)體、LED、LCD、太陽(yang)能光伏等(deng)領(ling)域。Chillers半導(dao)(dao)(dao)體控(kong)溫(wen)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi) 模塊循環制冷機(ji)
產(chan)品型號：LTS-202廠商(shang)性質(zhi)：生產廠家更新(xin)時間：2024-01-11訪 問(wen) 量：346| 品牌 | 冠亞制冷 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥,汽車 |
主要產品包括半導(dao)體專?溫(wen)(wen)控設(she)備、射流式?低溫(wen)(wen)沖擊(ji)測試機和半導(dao)體??藝廢?處理裝置等?設(she)備，
?泛應?于(yu)半導(dao)體、LED、LCD、太陽能光伏等領域。
半導體(ti)專溫控設備
射流式?低溫(wen)沖擊測(ce)試機
半(ban)導(dao)體專(zhuan)用溫控設備chiller
Chiller氣體降溫(wen)控溫(wen)系統
Chiller直冷型
循環風控(kong)溫裝置
半導體?低溫(wen)測試(shi)設備
電?設(she)備?溫低溫恒溫測試冷熱源
射流式高低溫沖擊測(ce)試機
快速(su)溫變控溫卡盤
數據中心(xin)液冷解(jie)決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
集成(cheng)電路晶圓制造Chiller在(zai)半導(dao)體(ti)制造(zao)工藝(yi)(yi)中作為一(yi)種制冷加熱(re)動態控溫設備，可以用(yong)在(zai)不同(tong)的工藝(yi)(yi)中，以下(xia)是在(zai)半導(dao)體(ti)制造(zao)工藝(yi)(yi)中的應用(yong)：
1、氧(yang)化工藝：在氧(yang)化工藝中，需要將(jiang)硅片放入氧(yang)化爐中，并在高溫(wen)下進行氧(yang)化反應。集成電路晶(jing)圓制造Chiller可(ke)以控制(zhi)氧化(hua)爐的溫度和氣氛，以確保(bao)氧化(hua)反應(ying)的穩定(ding)性(xing)和均(jun)勻性(xing)。
2、退(tui)火(huo)(huo)工藝(yi)：在(zai)退(tui)火(huo)(huo)工藝(yi)中，需要將硅片加(jia)熱到一定(ding)溫(wen)度，并保持一段時間，以消除晶格中的應力(li)并改善材料的性能。集成(cheng)電路(lu)晶圓制造Chiller可(ke)以控制退(tui)(tui)火爐(lu)的(de)溫度和時間(jian)，以確(que)保退(tui)(tui)火過(guo)程的(de)穩(wen)定性和可(ke)靠(kao)性。
3、刻蝕工(gong)藝：在(zai)刻蝕工(gong)藝中，需要將(jiang)硅片暴露(lu)在(zai)化(hua)學(xue)試劑中，以去(qu)除不需要的(de)材料。集(ji)成電路晶圓制造Chiller可以控制(zhi)化學(xue)試劑(ji)的溫(wen)度和(he)流量，以確(que)保刻(ke)蝕(shi)過程的穩定性和(he)精度。
4、薄(bo)膜(mo)沉積工藝(yi)：在薄(bo)膜(mo)沉積工藝(yi)中，需(xu)要(yao)將材料沉積在硅(gui)片(pian)上(shang)，以(yi)形(xing)成(cheng)所需(xu)的薄(bo)膜(mo)結構。集成(cheng)電路(lu)晶圓制(zhi)造Chiller可以控(kong)制沉積(ji)設備(bei)的溫度(du)和氣氛，以確保薄膜沉積(ji)的穩定(ding)性和質量。
5、離(li)子(zi)注入(ru)工(gong)藝：在(zai)離(li)子(zi)注入(ru)工(gong)藝中(zhong)，需要(yao)將離(li)子(zi)注入(ru)到硅片中(zhong)，以改變材料的性質和結構。集成(cheng)電(dian)路(lu)晶圓制造Chiller可以控制離(li)子注(zhu)入(ru)設(she)備的溫(wen)度(du)和電(dian)流(liu)，以確保離(li)子注(zhu)入(ru)的穩定(ding)性和精(jing)度(du)。
